Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E,S4X
- 제조업체 부품 번호
- TK12A50E,S4X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V TO220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK12A50E,S4X 가격 및 조달
가능 수량
1235 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,023.13420
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK12A50E,S4X, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK12A50E,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12A50E,S4X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK12A50E,S4X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK12A50E,S4X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK12A50E,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK12A50E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK12A50E,S4X | |
| 관련 링크 | TK12A5, TK12A50E,S4X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK12A50E,S4X 의 관련 제품
 | 1825SC472KATME | 4700pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825SC472KATME.pdf | |
 | C2220C223G5GALTU | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C223G5GALTU.pdf | |
 | MKP385436100JKP2T0 | 0.36µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385436100JKP2T0.pdf | |
 | ASDMB-24.576MHZ-LY-T | 24.576MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-24.576MHZ-LY-T.pdf | |
,-SC-63.jpg) | 12CWQ03FNTR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V DPAK | 12CWQ03FNTR.pdf | |
 | IPB90R340C3ATMA1 | MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 | IPB90R340C3ATMA1.pdf | |
 | EL0531(TA)-V | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 2 Channel 8-SOP | EL0531(TA)-V.pdf | |
 | RR0816P-1073-D-04D | RES SMD 107K OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-1073-D-04D.pdf | |
 | ERJ-14BSFR15U | RES SMD 0.15 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14BSFR15U.pdf | |
.jpg) | ERA-8AEB3921V | RES SMD 3.92K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB3921V.pdf | |
 | ERJ-S03F6813V | RES SMD 681K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F6813V.pdf | |
 | CMF60499R00FHEK | RES 499 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60499R00FHEK.pdf |
