Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W,LVQ
- 제조업체 부품 번호
- TK12V60W,LVQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK12V60W,LVQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,971.89000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK12V60W,LVQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK12V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12V60W,LVQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK12V60W,LVQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK12V60W,LVQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK12V60W,LVQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK12V60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-VSFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN(8x8) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TK12V60WLVQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK12V60W,LVQ | |
| 관련 링크 | TK12V6, TK12V60W,LVQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK12V60W,LVQ 의 관련 제품
 | MKT1818410256W | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | MKT1818410256W.pdf | |
| BFC233861272 | 2700pF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC233861272.pdf | |
| CDV30EH750JO3F | MICA | CDV30EH750JO3F.pdf | |
 | 12105J0R5ABTTR | 0.50pF Thin Film Capacitor 50V 1210 (3225 Metric) 0.119" L x 0.098" W (3.02mm x 2.50mm) | 12105J0R5ABTTR.pdf | |
| TS160F33IET | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS160F33IET.pdf | |
| PG0926.722NL | 7.2µH Unshielded Wirewound Inductor 12A 7 mOhm Nonstandard | PG0926.722NL.pdf | |
 | RL1206FR-7W0R01L | RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 1206 | RL1206FR-7W0R01L.pdf | |
.jpg) | SR0805MR-0713RL | RES SMD 13 OHM 20% 1/8W 0805 | SR0805MR-0713RL.pdf | |
 | CPW1015K00HB143 | RES 15K OHM 10W 3% AXIAL | CPW1015K00HB143.pdf | |
| A1334LLETR-30-T | IC HALL EFFECT SENSOR 14TSSOP | A1334LLETR-30-T.pdf | |
| P51-200-G-A-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-A-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
| P51-1000-S-Z-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1000-S-Z-I36-5V-000-000.pdf |
