창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK13A60D(STA4,Q,M) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK13A60D Mosfets Prod Guide | |
카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TK13A60DSTA4QM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK13A60D(STA4,Q,M) | |
관련 링크 | TK13A60D(, TK13A60D(STA4,Q,M) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | R75II34704040J | 0.47µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | R75II34704040J.pdf | |
![]() | SIT8209AI-G3-33E-125.000000T | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8209AI-G3-33E-125.000000T.pdf | |
![]() | SIT1602ACE3-33E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACE3-33E.pdf | |
![]() | FP2-S120-R | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 39A 0.24 mOhm Nonstandard | FP2-S120-R.pdf | |
![]() | 8532-12L | 8.2µH Unshielded Inductor 3.55A 28 mOhm Max Nonstandard | 8532-12L.pdf | |
![]() | CRGV0805F102K | RES SMD 102K OHM 1% 1/8W 0805 | CRGV0805F102K.pdf | |
![]() | Y14558K00000A0W | RES SMD 8K OHM 0.05% 1/5W 1506 | Y14558K00000A0W.pdf | |
![]() | VSSR2401102JUF | RES ARRAY 23 RES 1K OHM 24SSOP | VSSR2401102JUF.pdf | |
![]() | RNF18BTE20K0 | RES 20K OHM 1/8W .1% AXIAL | RNF18BTE20K0.pdf | |
![]() | H8332RDZA | RES 332 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H8332RDZA.pdf |