Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S

TK18E10K3,S1X(S
제조업체 부품 번호
TK18E10K3,S1X(S
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-TK18E10K3,S1X(S
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서Mosfets Prod Guide
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs42m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs33nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대71W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름TK18E10K3S1X(S
TK18E10K3S1XS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK18E10K3,S1X(S
관련 링크TK18E10, TK18E10K3,S1X(S Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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