Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S
- 제조업체 부품 번호
- TK18E10K3,S1X(S
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK18E10K3,S1X(S 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,463.34000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK18E10K3,S1X(S, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK18E10K3,S1X(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK18E10K3,S1X(S, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK18E10K3,S1X(S 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK18E10K3,S1X(S 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK18E10K3,S1X(S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK18E10K3S1X(S TK18E10K3S1XS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK18E10K3,S1X(S | |
| 관련 링크 | TK18E10, TK18E10K3,S1X(S Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK18E10K3,S1X(S 의 관련 제품
 | LGU1K272MELB | 2700µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU1K272MELB.pdf | |
 | KTF250B106M43N0T00 | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | KTF250B106M43N0T00.pdf | |
| B72510H1140S262 | VARISTOR 24.5V 120A 0805 | B72510H1140S262.pdf | |
 | 416F480X2ATR | 48MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2ATR.pdf | |
 | BC847BMTF | TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 | BC847BMTF.pdf | |
| F1350AA10 | FILTER GEN PURPOSE 10A FASTON | F1350AA10.pdf | |
 | LQM21NN3R9K10L | 3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 890 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21NN3R9K10L.pdf | |
 | ELC-09D150F | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 35 mOhm Radial | ELC-09D150F.pdf | |
 | ERJ-PA3F7872V | RES SMD 78.7K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F7872V.pdf | |
| CPF0402F20RE1 | RES SMD 20 OHM 1% 1/16W 0402 | CPF0402F20RE1.pdf | |
 | AF164-FR-07137RL | RES ARRAY 4 RES 137 OHM 1206 | AF164-FR-07137RL.pdf | |
 | 59085-3-T-03-D | Magnetic Reed Switch Ferrous Vane SPDT Wire Leads with Connector Module, Wire Leads, Slot Type | 59085-3-T-03-D.pdf |
