Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(S
- 제조업체 부품 번호
- TK25E06K3,S1X(S
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK25E06K3,S1X(S 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,148.54000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK25E06K3,S1X(S, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK25E06K3,S1X(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK25E06K3,S1X(S, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK25E06K3,S1X(S 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK25E06K3,S1X(S 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK25E06K3,S1X(S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK25E06K3S1X(S TK25E06K3S1XS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK25E06K3,S1X(S | |
| 관련 링크 | TK25E06, TK25E06K3,S1X(S Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK25E06K3,S1X(S 의 관련 제품
 | ELXV350EC3560MFB5D | 56µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ELXV350EC3560MFB5D.pdf | |
 | D202K33Y5PL63J6R | 2000pF 500V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | D202K33Y5PL63J6R.pdf | |
 | 0305.080H | FUSE BRD MNT 80MA 277VAC/VDC RAD | 0305.080H.pdf | |
 | CS325S30000000ABJT | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S30000000ABJT.pdf | |
 | ASDMB-44.000MHZ-XY-T | 44MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-44.000MHZ-XY-T.pdf | |
| SIT8008AC-72-18E-100.000000E | OSC XO 1.8V 100MHZ OE | SIT8008AC-72-18E-100.000000E.pdf | |
 | LD411660 | DIODE MODULE 1.6KV 600A POWRBLOK | LD411660.pdf | |
 | MCR006YZPF4701 | RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF4701.pdf | |
 | AC0402FR-0716K5L | RES SMD 16.5K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-0716K5L.pdf | |
 | RG2012P-1872-D-T5 | RES SMD 18.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1872-D-T5.pdf | |
| CRCW1218866RFKEK | RES SMD 866 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218866RFKEK.pdf | |
.jpg) | AT1206CRD0756K2L | RES SMD 56.2KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0756K2L.pdf |
