창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK30S06K3L(T6L1,NQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK30S06K3L Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 58W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK30S06K3L(T6L1NQ TK30S06K3LT6L1NQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK30S06K3L(T6L1,NQ | |
관련 링크 | TK30S06K3, TK30S06K3L(T6L1,NQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
CL05CR75CB5NNNC | 0.75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05CR75CB5NNNC.pdf | ||
CGA3E2X8R1H103M080AD | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X8R1H103M080AD.pdf | ||
VJ0805D1R9BLXAP | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9BLXAP.pdf | ||
1.5KE120C | TVS DIODE 102VWM 173.25VC AXIAL | 1.5KE120C.pdf | ||
C3290-32.000 | 32MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | C3290-32.000.pdf | ||
S1FLJ-M-08 | DIODE SW 600V DO-219AB | S1FLJ-M-08.pdf | ||
MITB15WB1200TMH | MODULE IGBT CBI | MITB15WB1200TMH.pdf | ||
G3VM-61G3 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm) | G3VM-61G3.pdf | ||
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AT0402DRE07124RL | RES SMD 124 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE07124RL.pdf | ||
RMCF2010FT158R | RES SMD 158 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT158R.pdf | ||
MNR34J5ABJ100 | RES ARRAY 4 RES 10 OHM 2012 | MNR34J5ABJ100.pdf |