창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK31N60W5,S1VF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK31N60W5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 15.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF-ND TK31N60W5S1VF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK31N60W5,S1VF | |
관련 링크 | TK31N60, TK31N60W5,S1VF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | VJ0603D2R0DLPAJ | 2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R0DLPAJ.pdf | |
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![]() | F0402E1R50FSTR | FUSE BOARD MOUNT 1.5A 32VDC 0402 | F0402E1R50FSTR.pdf | |
![]() | DSC1101AM2-100.0000 | 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101AM2-100.0000.pdf | |
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![]() | CRCW080543K2DHEAP | RES SMD 43.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW080543K2DHEAP.pdf | |
![]() | 4608H-102-102LF | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8SIP | 4608H-102-102LF.pdf | |
![]() | HMC441LP3ETR | RF Amplifier IC General Purpose 6.5GHz ~ 13.5GHz 16-SMT (3x3) | HMC441LP3ETR.pdf | |
![]() | 55075-AP-02-A | Magnetic Hall Effect Sensor Ferrous Metals, Gear Tooth Analog Wire Leads Cylinder, Threaded - M12 | 55075-AP-02-A.pdf |