Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TK31V60X,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK31V60X,LQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,582.73100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK31V60X,LQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK31V60X,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31V60X,LQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK31V60X,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK31V60X,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK31V60X,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK31V60X | |
| 주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 9.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 240W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-VSFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN(8x8) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK31V60X,LQ | |
| 관련 링크 | TK31V, TK31V60X,LQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK31V60X,LQ 의 관련 제품
 | LGU2P271MELZ | 270µF 220V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU2P271MELZ.pdf | |
 | 12101J2R2CBTTR | 2.2pF Thin Film Capacitor 100V 1210 (3225 Metric) 0.119" L x 0.098" W (3.02mm x 2.50mm) | 12101J2R2CBTTR.pdf | |
 | DF3A6.2CT(TPL3) | TVS DIODE 3VWM CST3 | DF3A6.2CT(TPL3).pdf | |
 | 402F25033CAR | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25033CAR.pdf | |
 | BZX84C3V9TS-7-F | DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363 | BZX84C3V9TS-7-F.pdf | |
 | BZD17C39P-E3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219AB | BZD17C39P-E3-18.pdf | |
 | IRLR9343TRLPBF | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | IRLR9343TRLPBF.pdf | |
 | ACT45B-101-2P-TL003 | 100µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 5.8 kOhm @ 10MHz 150mA DCR 2 Ohm | ACT45B-101-2P-TL003.pdf | |
.jpg) | AT0805DRD0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD0734R8L.pdf | |
.jpg) | PHP00805E4071BST1 | RES SMD 4.07K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E4071BST1.pdf | |
 | CMF5512K400DHR6 | RES 12.4K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5512K400DHR6.pdf | |
 | EMS22D31-D28-LT2 | IC ENCODER TACHOMETER MAGNETIC | EMS22D31-D28-LT2.pdf |
