Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK34E10N1,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK34E10N1,S1X 가격 및 조달
가능 수량
1260 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 683.58860
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK34E10N1,S1X, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK34E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK34E10N1,S1X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK34E10N1,S1X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK34E10N1,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK34E10N1,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK34E10N1 | |
| 주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 103W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK34E10N1,S1X | |
| 관련 링크 | TK34E1, TK34E10N1,S1X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK34E10N1,S1X 의 관련 제품
 | UCY2C680MPD | 68µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2C680MPD.pdf | |
 | VJ0402D6R2DLAAP | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R2DLAAP.pdf | |
 | B81141C1683K289 | 0.068µF Film Capacitor 440V Polyester, Metallized Radial 1.043" L x 0.335" W (26.50mm x 8.50mm) | B81141C1683K289.pdf | |
 | D5V0X1B2LP3-7 | TVS DIODE 5.5VWM 13VC 6DFN | D5V0X1B2LP3-7.pdf | |
 | SM15T18CAHE3/57T | TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC SMC | SM15T18CAHE3/57T.pdf | |
 | CD214B-T170CALF | TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AA | CD214B-T170CALF.pdf | |
 | ASTMHTA-48.000MHZ-XR-E | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-48.000MHZ-XR-E.pdf | |
| SIT8924BA-23-33E-1.000000D | OSC XO 3.3V 1MHZ OE | SIT8924BA-23-33E-1.000000D.pdf | |
.jpg) | TC164-FR-07464KL | RES ARRAY 4 RES 464K OHM 1206 | TC164-FR-07464KL.pdf | |
| EXE902MD | 931MHz Whip, Straight RF Antenna 902MHz ~ 960MHz Connector, MD Connector Mount | EXE902MD.pdf | |
 | HMC218BMS8GE | RF Mixer IC WiMax Down Converter 3.5GHz ~ 8GHz 8-MSOP-EP | HMC218BMS8GE.pdf | |
| E32-D11R | SENS FIBER HIGH FLEX 2.2MM M6 | E32-D11R.pdf |
