Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK34E10N1,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK34E10N1,S1X 가격 및 조달
가능 수량
1260 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 683.58860
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK34E10N1,S1X, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK34E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK34E10N1,S1X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK34E10N1,S1X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK34E10N1,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK34E10N1,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK34E10N1 | |
| 주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 103W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK34E10N1,S1X | |
| 관련 링크 | TK34E1, TK34E10N1,S1X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK34E10N1,S1X 의 관련 제품
 | LGN2G391MELB40 | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGN2G391MELB40.pdf | |
 | TAP476M006BRW | 47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V Radial 2 Ohm 0.236" Dia (6.00mm) | TAP476M006BRW.pdf | |
 | 170M5615 | FUSE SQ 900A 700VAC RECTANGULAR | 170M5615.pdf | |
 | 9H03220005 | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 9H03220005.pdf | |
 | SIT3808AC-D2-33EH-40.925000T | OSC XO 3.3V 40.925MHZ OE | SIT3808AC-D2-33EH-40.925000T.pdf | |
 | L06038R2CFWTR | 8.2nH Unshielded Thin Film Inductor 300mA 350 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L06038R2CFWTR.pdf | |
| S0402-27NH3S | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 360 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-27NH3S.pdf | |
| 6N1136-X006 | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP | 6N1136-X006.pdf | |
 | RG2012P-47R5-B-T5 | RES SMD 47.5 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-47R5-B-T5.pdf | |
 | LR0204F560R | RES 560 OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F560R.pdf | |
 | CP0805B0881AWTR | RF Directional Coupler AMPS 869MHz ~ 894MHz 21 ± 1dB 3W 0805 (2012 Metric) | CP0805B0881AWTR.pdf | |
.jpg){kind=spacer} | CR4170-30 | Current Sensor 30A 3 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module, Triple Pass Through | CR4170-30.pdf |
