Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK35E08N1,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK35E08N1,S1X 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 914.20000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK35E08N1,S1X, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK35E08N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35E08N1,S1X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK35E08N1,S1X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK35E08N1,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK35E08N1,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK35E08N1 | |
| 주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.2m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 72W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK35E08N1S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK35E08N1,S1X | |
| 관련 링크 | TK35E0, TK35E08N1,S1X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK35E08N1,S1X 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | C1206C221J5GACTU | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C221J5GACTU.pdf | |
 | K222M15X7RH5TH5 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K222M15X7RH5TH5.pdf | |
 | MA105C103JAA-BULK | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.090" Dia x 0.160" L(2.29mm x 4.07mm) | MA105C103JAA-BULK.pdf | |
 | MKP385682016JYI2T0 | 82µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP385682016JYI2T0.pdf | |
 | SMCJ22A-E3/57T | TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMC | SMCJ22A-E3/57T.pdf | |
 | BZW04-171BHE3/54 | TVS DIODE 171VWM 274VC DO204AL | BZW04-171BHE3/54.pdf | |
 | 1PMT5948AE3/TR7 | DIODE ZENER 91V 3W DO216AA | 1PMT5948AE3/TR7.pdf | |
 | 2N6520TA | TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 | 2N6520TA.pdf | |
 | GSID300A120S5C1 | IGBT MODULE 1200V 430A | GSID300A120S5C1.pdf | |
 | CMF55515R00FKR6 | RES 515 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55515R00FKR6.pdf | |
| CMF55120R00FEEK70 | RES 120 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55120R00FEEK70.pdf | |
 | E2E-X10D1-M1GJ-T 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP68 Cylinder, Threaded - M30 | E2E-X10D1-M1GJ-T 0.3M.pdf |
