창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK35E10K3(S1SS-Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK35E10K3S1SSQ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK35E10K3(S1SS-Q) | |
관련 링크 | TK35E10K, TK35E10K3(S1SS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | VJ0402D1R6BLCAJ | 1.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R6BLCAJ.pdf | |
![]() | GRM2196P2A2R0CD01D | 2pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A2R0CD01D.pdf | |
![]() | BYG10K-E3/TR | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | BYG10K-E3/TR.pdf | |
![]() | HMPP-3862-TR1 | DIODE PIN GP 50V 1A MINIPAK | HMPP-3862-TR1.pdf | |
![]() | 1N6010B | DIODE ZENER 27V 500MW DO35 | 1N6010B.pdf | |
![]() | FDV304P | MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 | FDV304P.pdf | |
![]() | CRGV0603F150K | RES SMD 150K OHM 1% 1/10W 0603 | CRGV0603F150K.pdf | |
![]() | RG1608P-3400-B-T5 | RES SMD 340 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-3400-B-T5.pdf | |
![]() | MCU08050D2612BP500 | RES SMD 26.1K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D2612BP500.pdf | |
![]() | AA1218FK-078K06L | RES SMD 8.06K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-078K06L.pdf | |
RSMF3JB5R60 | RES METAL OX 3W 5.6 OHM 5% AXL | RSMF3JB5R60.pdf | ||
![]() | CW010169R0KE123 | RES 169 OHM 13W 10% AXIAL | CW010169R0KE123.pdf |