Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L(T6L1,NQ
- 제조업체 부품 번호
- TK35S04K3L(T6L1,NQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK35S04K3L(T6L1,NQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 639.99950
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK35S04K3L(T6L1,NQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK35S04K3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35S04K3L(T6L1,NQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK35S04K3L(T6L1,NQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK35S04K3L(T6L1,NQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK35S04K3L(T6L1,NQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK35S04K3L Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.3옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 58W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK35S04K3L(T6L1NQ TK35S04K3LT6L1NQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK35S04K3L(T6L1,NQ | |
| 관련 링크 | TK35S04K3, TK35S04K3L(T6L1,NQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK35S04K3L(T6L1,NQ 의 관련 제품
 | UCYW6270MHD1TO | 27µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCYW6270MHD1TO.pdf | |
-14.jpg) | C2012X5R1A106K125AB | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1A106K125AB.pdf | |
 | 06031A200GAT4A | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A200GAT4A.pdf | |
 | VJ1812A910JBLAT4X | 91pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A910JBLAT4X.pdf | |
.jpg) | ECJ-2FB0J106M | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2FB0J106M.pdf | |
 | 170M3417 | FUSE SQUARE 315A 700VAC | 170M3417.pdf | |
 | ASV2-30.000MHZ-C-L1-T | 30MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | ASV2-30.000MHZ-C-L1-T.pdf | |
.jpg) | LB2012T100KR | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) | LB2012T100KR.pdf | |
 | S4924-183K | 18µH Shielded Inductor 580mA 890 mOhm Max Nonstandard | S4924-183K.pdf | |
| AA1206FR-07215KL | RES SMD 215K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-07215KL.pdf | |
.jpg) | AT0402DRE0748R7L | RES SMD 48.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0748R7L.pdf | |
 | CRCW08052R43FKEAHP | RES SMD 2.43 OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08052R43FKEAHP.pdf |
