Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX
- 제조업체 부품 번호
- TK39A60W,S4VX
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK39A60W,S4VX 가격 및 조달
가능 수량
1272 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,023.16000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK39A60W,S4VX, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK39A60W,S4VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK39A60W,S4VX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK39A60W,S4VX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK39A60W,S4VX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK39A60W,S4VX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK39A60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 19.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 1.9mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK39A60W,S4VX(M TK39A60WS4VX | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK39A60W,S4VX | |
| 관련 링크 | TK39A6, TK39A60W,S4VX Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK39A60W,S4VX 의 관련 제품
 | ECE-A1VKS100B | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | ECE-A1VKS100B.pdf | |
-A.jpg) | CL21C060CBANNNC | 6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C060CBANNNC.pdf | |
 | 1812CC183MATBE | 0.018µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC183MATBE.pdf | |
 | CMR05C6R0DPDR | CMR MICA | CMR05C6R0DPDR.pdf | |
 | SL12 8R003 | ICL 8 OHM 20% 3A 12MM | SL12 8R003.pdf | |
 | PD0120.332NLT | 4.6µH Unshielded Wirewound Inductor 11.2A 6.8 mOhm Max Nonstandard | PD0120.332NLT.pdf | |
 | G6S-2F DC6 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6S-2F DC6.pdf | |
 | HC4ED-H-AC100V | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Socketable | HC4ED-H-AC100V.pdf | |
.jpg) | AT1206DRD0710R7L | RES SMD 10.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0710R7L.pdf | |
 | MCT06030D8060BP500 | RES SMD 806 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D8060BP500.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE07332RL | RES SMD 332 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE07332RL.pdf | |
 | CMF55200R00FKEB39 | RES 200 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55200R00FKEB39.pdf |
