Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK3A65D(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK3A65D(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,608.64000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK3A65D(STA4,Q,M), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK3A65D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3A65D(STA4,Q,M), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK3A65D(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK3A65D(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK3A65D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK3A65D Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.25옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK3A65D(STA4QM) TK3A65DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK3A65D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK3A65D(, TK3A65D(STA4,Q,M) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK3A65D(STA4,Q,M) 의 관련 제품
 | TPSX107K010R0085 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 85 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSX107K010R0085.pdf | |
 | 416F48035CDR | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48035CDR.pdf | |
 | GBPC1502W-E4/51 | DIODE 1PH 15A 200V GBPC-W | GBPC1502W-E4/51.pdf | |
.jpg) | BZV55-C5V1,135 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD80C | BZV55-C5V1,135.pdf | |
 | 4232-822F | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 263mA 3 Ohm Max 2-SMD | 4232-822F.pdf | |
| 2500-22F | 750µH Unshielded Molded Inductor 95mA 14.4 Ohm Max Axial | 2500-22F.pdf | |
 | IL610-3TR7 | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 1 Channel 40Mbps 15kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | IL610-3TR7.pdf | |
 | CRCW20104R70FKEFHP | RES SMD 4.7 OHM 1% 1W 2010 | CRCW20104R70FKEFHP.pdf | |
 | CRCW1206100KFKEB | RES SMD 100K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206100KFKEB.pdf | |
| PWD-5530-04-TNC-79 | RF Power Divider 500MHz ~ 18GHz Module | PWD-5530-04-TNC-79.pdf | |
| PA46-1-000-Q2-NO1-NP | SYSTEM | PA46-1-000-Q2-NO1-NP.pdf | |
| P51-200-G-T-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-T-MD-20MA-000-000.pdf |
