창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK40E06N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK40E06N1 | |
주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 67W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK40E06N1,S1X(S TK40E06N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK40E06N1,S1X | |
관련 링크 | TK40E0, TK40E06N1,S1X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | S1812R-821H | 820nH Shielded Inductor 614mA 530 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-821H.pdf | |
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RSMF2JB5K60 | RES METAL OX 2W 5.6K OHM 5% AXL | RSMF2JB5K60.pdf | ||
![]() | CMF5582K500FHEA | RES 82.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5582K500FHEA.pdf | |
![]() | ATT-0225-18-TNC-02 | RF Attenuator 18dB ±0.5dB 0Hz ~ 18GHz 50 Ohm 2W TNC In-Line Module | ATT-0225-18-TNC-02.pdf | |
![]() | HAT 800-S | Current Sensor 800A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HAT 800-S.pdf |