창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK40E10K3,S1X(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK40E10K3S1X(S TK40E10K3S1XS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK40E10K3,S1X(S | |
관련 링크 | TK40E10, TK40E10K3,S1X(S Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | 4232-101G | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 519mA 450 mOhm Max 2-SMD | 4232-101G.pdf | |
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![]() | CSR2512C0R01F | RES SMD 0.01 OHM 1% 3W 2512 | CSR2512C0R01F.pdf | |
![]() | TNPW060316K0BEEA | RES SMD 16K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060316K0BEEA.pdf | |
![]() | RG2012N-4991-B-T5 | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-4991-B-T5.pdf | |
![]() | MSP08A03270RGEJ | RES ARRAY 4 RES 270 OHM 8SIP | MSP08A03270RGEJ.pdf | |
![]() | NKN7WSJR-91-3R3 | RES 3.3 OHM 7W 5% AXIAL | NKN7WSJR-91-3R3.pdf | |
![]() | SSCSSNT015PDAA5 | Pressure Sensor ±15 PSI (±103.42 kPa) Differential 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP Module | SSCSSNT015PDAA5.pdf |