Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z(T6L1,NQ
- 제조업체 부품 번호
- TK40S10K3Z(T6L1,NQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK40S10K3Z(T6L1,NQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 950.73250
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK40S10K3Z(T6L1,NQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK40S10K3Z(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK40S10K3Z(T6L1,NQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK40S10K3Z(T6L1,NQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK40S10K3Z(T6L1,NQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK40S10K3Z(T6L1,NQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK40S10K3Z Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3110pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 93W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK40S10K3Z(T6L1NQ TK40S10K3ZT6L1NQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK40S10K3Z(T6L1,NQ | |
| 관련 링크 | TK40S10K3, TK40S10K3Z(T6L1,NQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK40S10K3Z(T6L1,NQ 의 관련 제품
 | VJ0603D1R3CLPAP | 1.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R3CLPAP.pdf | |
 | VJ0805D2R2CLAAP | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R2CLAAP.pdf | |
 | 0402ZJ0R2CBWTR | 0.20pF Thin Film Capacitor 10V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 0402ZJ0R2CBWTR.pdf | |
 | ECS-221-S-4X | 22.1184MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-221-S-4X.pdf | |
 | 201UR504B | 500k Ohm 0.2W, 1/5W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Carbon 1 Turn Top Adjustment | 201UR504B.pdf | |
 | NLV25T-4R7J-EFD | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 175mA 2.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-4R7J-EFD.pdf | |
 | IHLP4040DZER3R3M8A | 3.3µH Shielded Molded Inductor 11A 11.81 mOhm Max Nonstandard | IHLP4040DZER3R3M8A.pdf | |
.jpg) | RC0201DR-0764K9L | RES SMD 64.9KOHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-0764K9L.pdf | |
.jpg) | RT1206FRE0734KL | RES SMD 34K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE0734KL.pdf | |
 | RG2012Q-100-D-T5 | RES SMD 10 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012Q-100-D-T5.pdf | |
 | CMF551K6700BHEB | RES 1.67K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K6700BHEB.pdf | |
 | XB24CZ7WITB003 | RF TXRX MODULE 802.15.4 WIRE ANT | XB24CZ7WITB003.pdf |
