창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK42E12N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK42E12N1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK42E12N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK42E12N1,S1X | |
관련 링크 | TK42E1, TK42E12N1,S1X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
VJ0603D301GXXAT | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D301GXXAT.pdf | ||
T97H337K020EAA | 330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 3226 (8066 Metric) 100 mOhm 0.315" L x 0.260" W (8.00mm x 6.60mm) | T97H337K020EAA.pdf | ||
RGEF900-1 | POLYSWITCH PTC RESET 9A HOLD | RGEF900-1.pdf | ||
V07E25P | VARISTOR 39V 1KA DISC 7MM | V07E25P.pdf | ||
SIT3821AC-1B-33NY | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 69mA | SIT3821AC-1B-33NY.pdf | ||
3362M-1-501 | 500 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3362M-1-501.pdf | ||
8-1617515-2 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) | 8-1617515-2.pdf | ||
AC0603FR-074K53L | RES SMD 4.53K OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-074K53L.pdf | ||
RGC0603FTC2K49 | RES SMD 2.49K OHM 1% 1/10W 0603 | RGC0603FTC2K49.pdf | ||
MCR18EZHJSR051 | RES SMD 0.051 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJSR051.pdf | ||
RN73C1E4K22BTD | RES SMD 4.22KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E4K22BTD.pdf | ||
DISC806M | AVL STD 806-866MHZ 3G PIFA NMO | DISC806M.pdf |