Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK4A60DB(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK4A60DB(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,383.78000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK4A60DB(STA4,Q,M), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK4A60DB(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4A60DB(STA4,Q,M), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK4A60DB(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK4A60DB(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK4A60DB(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK4A60DB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK4A60DB(STA4QM) TK4A60DBSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK4A60DB(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK4A60DB(, TK4A60DB(STA4,Q,M) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK4A60DB(STA4,Q,M) 의 관련 제품
 | K821K15C0GK5TL2 | 820pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K821K15C0GK5TL2.pdf | |
.jpg) | GQM2195C2E2R2WB12D | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2E2R2WB12D.pdf | |
 | M551B108M060AT | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 60V M55 Module 25 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B108M060AT.pdf | |
 | 1.5SMC120CA-M3/9AT | TVS DIODE 102VWM 165VC SMCJ | 1.5SMC120CA-M3/9AT.pdf | |
 | 416F270X2CAR | 27MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X2CAR.pdf | |
 | CDLL3050B-1 | DIODE ZENER | CDLL3050B-1.pdf | |
 | BU941ZPFI | TRANS NPN DARL 350V 15A TO-3PF | BU941ZPFI.pdf | |
 | PWR263S-20-3301J | RES SMD 3.3K OHM 5% 20W D2PAK | PWR263S-20-3301J.pdf | |
 | RMCP2010FT21R0 | RES SMD 21 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT21R0.pdf | |
.jpg) | RT2512FKE0712K7L | RES SMD 12.7K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0712K7L.pdf | |
 | 41F100E | RES 100 OHM 1W 1% AXIAL | 41F100E.pdf | |
| SFH 320-Z | PHOTOTRANSISTOR NPN 980NM 2PLCC | SFH 320-Z.pdf |
