Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D(T6RSS-Q)
- 제조업체 부품 번호
- TK4P50D(T6RSS-Q)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK4P50D(T6RSS-Q) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 600.21550
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK4P50D(T6RSS-Q), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK4P50D(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4P50D(T6RSS-Q), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK4P50D(T6RSS-Q) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK4P50D(T6RSS-Q) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK4P50D(T6RSS-Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK4P50D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK4P50DT6RSSQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK4P50D(T6RSS-Q) | |
| 관련 링크 | TK4P50D(, TK4P50D(T6RSS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK4P50D(T6RSS-Q) 의 관련 제품
-55.jpg) | C1608CH2A821J080AA | 820pF 100V 세라믹 커패시터 CH 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608CH2A821J080AA.pdf | |
 | GJM0225C1E6R8DB01L | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GJM0225C1E6R8DB01L.pdf | |
 | B32621A103K289 | 10000pF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial | B32621A103K289.pdf | |
.jpg) | MFU0603FF01600P100 | FUSE BOARD MOUNT 1.6A 32VDC 0603 | MFU0603FF01600P100.pdf | |
 | V18AUMLA1812A | VARISTOR 27.5V 1812 | V18AUMLA1812A.pdf | |
 | MCD700-14IO1W | SCR THRYRISTOR 1400V WC-500 | MCD700-14IO1W.pdf | |
 | IMC1812ER8R2J | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ER8R2J.pdf | |
 | 2474-12L | 8.2µH Unshielded Molded Inductor 3.55A 28 mOhm Max Axial | 2474-12L.pdf | |
.jpg) | RT1206BRE0718RL | RES SMD 18 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0718RL.pdf | |
 | CMF552R7000FKEA70 | RES 2.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552R7000FKEA70.pdf | |
 | HMC463LP5 | RF Amplifier IC General Purpose 2GHz ~ 20GHz 32-QFN (5x5) | HMC463LP5.pdf | |
 | 01M5001JF | NTC Thermistor 5k Bead | 01M5001JF.pdf |
