Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q)

TK4P60DB(T6RSS-Q)
제조업체 부품 번호
TK4P60DB(T6RSS-Q)
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
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내부 부품 번호EIS-TK4P60DB(T6RSS-Q)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서TK4P60DB
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2옴 @ 1.9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs11nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds540pF @ 25V
전력 - 최대80W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,000
다른 이름TK4P60DBT6RSSQ
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK4P60DB(T6RSS-Q)
관련 링크TK4P60DB, TK4P60DB(T6RSS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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