Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q)
- 제조업체 부품 번호
- TK4P60DB(T6RSS-Q)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK4P60DB(T6RSS-Q) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 667.67500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK4P60DB(T6RSS-Q), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK4P60DB(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4P60DB(T6RSS-Q), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK4P60DB(T6RSS-Q) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK4P60DB(T6RSS-Q) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK4P60DB(T6RSS-Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK4P60DB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK4P60DBT6RSSQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK4P60DB(T6RSS-Q) | |
| 관련 링크 | TK4P60DB, TK4P60DB(T6RSS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK4P60DB(T6RSS-Q) 의 관련 제품
 | UKL1C681MHD | 680µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKL1C681MHD.pdf | |
 | VJ1808A560JBGAT4X | 56pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A560JBGAT4X.pdf | |
 | D820G29C0GH6UL2R | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | D820G29C0GH6UL2R.pdf | |
 | 595D105X9020T2T | 1µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 0805 (2012 Metric) 9 Ohm 0.087" L x 0.043" W (2.20mm x 1.10mm) | 595D105X9020T2T.pdf | |
 | FNSURV054 | 54MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | FNSURV054.pdf | |
 | CE3392-12.288 | 12.288MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 18mA Enable/Disable | CE3392-12.288.pdf | |
 | CE201210-R33J | 330nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 1.4 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | CE201210-R33J.pdf | |
 | S1210-182H | 1.8µH Shielded Inductor 498mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-182H.pdf | |
.jpg) | RT1206FRD072K94L | RES SMD 2.94K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD072K94L.pdf | |
.jpg) | RNCF2010BTE100R | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/3W 2010 | RNCF2010BTE100R.pdf | |
| 40FR50E | RES 0.5 OHM 10W 1% AXIAL | 40FR50E.pdf | |
| MS46LR-30-520-Q1-00X-00R-NC-FN | SYSTEM | MS46LR-30-520-Q1-00X-00R-NC-FN.pdf |
