Toshiba Semiconductor and Storage TK50E10K3(S1SS-Q)
- 제조업체 부품 번호
- TK50E10K3(S1SS-Q)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK50E10K3(S1SS-Q) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,088.02000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK50E10K3(S1SS-Q), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK50E10K3(S1SS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK50E10K3(S1SS-Q), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK50E10K3(S1SS-Q) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK50E10K3(S1SS-Q) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK50E10K3(S1SS-Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK50E10K3S1SSQ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK50E10K3(S1SS-Q) | |
| 관련 링크 | TK50E10K, TK50E10K3(S1SS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK50E10K3(S1SS-Q) 의 관련 제품
 | 180KXF330MEFCSN25X20 | 330µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 180KXF330MEFCSN25X20.pdf | |
 | 1879296-9 | 6800µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 1879296-9.pdf | |
 | CBR02C120J3GAC | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C120J3GAC.pdf | |
 | VJ1206Y332JBGAT4X | 3300pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y332JBGAT4X.pdf | |
 | 402F160XXCJT | 16MHz ±15ppm 수정 9pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F160XXCJT.pdf | |
 | LQH2MCN1R0M02L | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 485mA 390 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | LQH2MCN1R0M02L.pdf | |
| 18885T200 | RELAY GEN PURP | 18885T200.pdf | |
.jpg) | RT0402DRD07432RL | RES SMD 432 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD07432RL.pdf | |
 | CRCW12101R27FKEAHP | RES SMD 1.27 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101R27FKEAHP.pdf | |
.jpg) | CRCW060310M0FKEC | RES SMD 10M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060310M0FKEC.pdf | |
 | CMF55174K00BER670 | RES 174K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55174K00BER670.pdf | |
 | H824R3BCA | RES 24.3 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H824R3BCA.pdf |
