Toshiba Semiconductor and Storage TK5A55D(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK5A55D(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK5A55D(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,383.78000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK5A55D(STA4,Q,M), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK5A55D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK5A55D(STA4,Q,M), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK5A55D(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK5A55D(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK5A55D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK5A55D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK5A55D(STA4QM) TK5A55DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK5A55D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK5A55D(, TK5A55D(STA4,Q,M) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK5A55D(STA4,Q,M) 의 관련 제품
-TDK.jpg) | CGJ4J2C0G2A392J125AA | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | CGJ4J2C0G2A392J125AA.pdf | |
.jpg) | 600L0R9BT200T | 0.90pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 600L0R9BT200T.pdf | |
 | GRM0337U1H5R4DD01D | 5.4pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0337U1H5R4DD01D.pdf | |
 | 416F440X3ASR | 44MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3ASR.pdf | |
 | VS-VSKV56/12 | MODULE THYRISTOR 60A ADD-A-PAK | VS-VSKV56/12.pdf | |
| 511R-40J | 6.2µH Unshielded Wirewound Inductor 455mA 470 mOhm Max Axial | 511R-40J.pdf | |
 | RR1220P-241-D | RES SMD 240 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-241-D.pdf | |
 | AC1206JR-0711RL | RES SMD 11 OHM 5% 1/4W 1206 | AC1206JR-0711RL.pdf | |
 | ERJ-S03F3602V | RES SMD 36K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F3602V.pdf | |
 | RCP0603W150RJTP | RES SMD 150 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W150RJTP.pdf | |
| Y11212K08000B0R | RES SMD 2.08K OHM 1/4W 2512 | Y11212K08000B0R.pdf | |
 | CRCW08057R50FNTA | RES SMD 7.5 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08057R50FNTA.pdf |
