Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q
- 제조업체 부품 번호
- TK5Q65W,S1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 5.2A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK5Q65W,S1Q 가격 및 조달
가능 수량
1465 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 542.26980
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK5Q65W,S1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK5Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK5Q65W,S1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK5Q65W,S1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK5Q65W,S1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK5Q65W,S1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK5Q65W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.22옴 @ 2.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 170µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | TK5Q65W,S1Q(S TK5Q65WS1Q | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK5Q65W,S1Q | |
| 관련 링크 | TK5Q6, TK5Q65W,S1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK5Q65W,S1Q 의 관련 제품
 | UUL0J331MNL1GS | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | UUL0J331MNL1GS.pdf | |
 | UFW1H100MDD1TA | 10µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UFW1H100MDD1TA.pdf | |
 | CK45-B3FD101KYNR | 100pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.217" Dia(5.50mm) | CK45-B3FD101KYNR.pdf | |
 | VJ1808A100JBRAT4X | 10pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A100JBRAT4X.pdf | |
 | VJ0603D151FLBAR | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151FLBAR.pdf | |
 | BFC238310134 | 0.13µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC238310134.pdf | |
 | LSP10480LLP | SURGE PROTECTOR 10KA 480V PARL | LSP10480LLP.pdf | |
 | 9B30000123 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B30000123.pdf | |
 | 28B1540-000 | Solid Free Hanging Ferrite Core 254 Ohm @ 100MHz ID 0.660" Dia (16.76mm) OD 1.540" Dia (39.12mm) Length 0.875" (22.22mm) | 28B1540-000.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE072K7L | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE072K7L.pdf | |
 | E-TA2012 T 3DB N1 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N1.pdf | |
 | HSCDRNT1.6BASA5 | Pressure Sensor 23.21 PSI (160 kPa) Absolute Male - 0.08" (1.93mm) Tube 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Side Port | HSCDRNT1.6BASA5.pdf |
