창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK62N60X,S1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK62N60X | |
주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 3.1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 400W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | TK62N60X,S1F(S TK62N60XS1F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK62N60X,S1F | |
관련 링크 | TK62N6, TK62N60X,S1F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | 8Z16600001 | 16.66667MHz ±30ppm 수정 12pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z16600001.pdf | |
![]() | 520M15DA26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2.5mA | 520M15DA26M0000.pdf | |
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![]() | DSC8101CI2 | 10MHz ~ 170MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby | DSC8101CI2.pdf | |
![]() | SRU1048-3R0Y | 3µH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 7.2 mOhm Nonstandard | SRU1048-3R0Y.pdf | |
![]() | 2510R-34K | 2.7µH Unshielded Inductor 229mA 900 mOhm Max 2-SMD | 2510R-34K.pdf | |
![]() | ERJ-L1WKF10CU | RES SMD 0.1 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-L1WKF10CU.pdf | |
![]() | RCP1206W11R0GS3 | RES SMD 11 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W11R0GS3.pdf | |
![]() | Y4729100R000B0L | RES 100 OHM 1.75W .1% AXIAL | Y4729100R000B0L.pdf |