창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK65A10N1,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK65A10N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 32.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X-ND TK65A10N1S4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK65A10N1,S4X | |
관련 링크 | TK65A1, TK65A10N1,S4X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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LD065A470JAB2A | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD065A470JAB2A.pdf | ||
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GRM2166P1H390JZ01D | 39pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166P1H390JZ01D.pdf | ||
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T495X475K050AT4095 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495X475K050AT4095.pdf | ||
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