Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ
- 제조업체 부품 번호
- TK65G10N1,RQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK65G10N1,RQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,329.91372
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK65G10N1,RQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK65G10N1,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK65G10N1,RQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK65G10N1,RQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK65G10N1,RQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK65G10N1,RQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK65G10N1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 32.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1RQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK65G10N1,RQ | |
| 관련 링크 | TK65G1, TK65G10N1,RQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK65G10N1,RQ 의 관련 제품
.jpg) | 08055C332KAZ2A | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C332KAZ2A.pdf | |
 | VJ0805D121FLAAJ | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121FLAAJ.pdf | |
| 3KP120C-B | TVS DIODE 120VWM 202.65VC P600 | 3KP120C-B.pdf | |
| SIT8008AI-83-33S-40.000000Y | OSC XO 3.3V 40MHZ ST | SIT8008AI-83-33S-40.000000Y.pdf | |
 | SIT9120AI-1D-XXS | 25MHz ~ 212.5MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 69mA Standby | SIT9120AI-1D-XXS.pdf | |
 | ERJ-14NF5100U | RES SMD 510 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF5100U.pdf | |
 | CSR0603JT33L0 | RES SMD 0.033 OHM 5% 1/8W 0603 | CSR0603JT33L0.pdf | |
.jpg) | 1-2176073-3 | RES SMD 715 OHM 0.5% 1/32W 0201 | 1-2176073-3.pdf | |
.jpg) | RCS0603143RFKEA | RES SMD 143 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603143RFKEA.pdf | |
 | MBA02040C7328FRP00 | RES 7.32 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C7328FRP00.pdf | |
 | QAM-RX2-433 | - RF Receiver ASK AM -105dBm Through Hole | QAM-RX2-433.pdf | |
| OPB491N11Z | SWITCH PHOTOLOGIC SLOT OPTICAL | OPB491N11Z.pdf |
