Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1,S4X
- 제조업체 부품 번호
- TK72A08N1,S4X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 72A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK72A08N1,S4X 가격 및 조달
가능 수량
1268 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,158.05280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK72A08N1,S4X, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK72A08N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK72A08N1,S4X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK72A08N1,S4X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK72A08N1,S4X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK72A08N1,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK72A08N1 | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 36A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK72A08N1,S4X-ND TK72A08N1S4X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK72A08N1,S4X | |
| 관련 링크 | TK72A0, TK72A08N1,S4X Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK72A08N1,S4X 의 관련 제품
 | VJ0603D1R3CLAAP | 1.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R3CLAAP.pdf | |
 | WF125420WN76238BJ1 | 7600pF 18000V(18kV) 세라믹 커패시터 비표준, 스크루 단자 5.787" Dia(148.00mm) | WF125420WN76238BJ1.pdf | |
 | T350E336K006AS | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V Radial 3 Ohm 0.217" Dia (5.50mm) | T350E336K006AS.pdf | |
 | 7V24580003 | 24.576MHz ±30ppm 수정 8pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V24580003.pdf | |
 | AA-20.000MAHE-T | 20MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-20.000MAHE-T.pdf | |
| VS-88HFR40 | DIODE GENERAL PURPOSE 85A DO-5 | VS-88HFR40.pdf | |
 | HSMP-481B-TR2G | DIODE PIN ATTENUATOR HF SOT-323 | HSMP-481B-TR2G.pdf | |
 | 750315039 | TRANSFORMER EFD20 SMD | 750315039.pdf | |
 | ASPI-1306T-471M-T | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 850 mOhm Max Nonstandard | ASPI-1306T-471M-T.pdf | |
| 3090-471G | 470nH Unshielded Inductor 460mA 360 mOhm Max 2-SMD | 3090-471G.pdf | |
 | CP00052K400KE663 | RES 2.4K OHM 5W 10% AXIAL | CP00052K400KE663.pdf | |
| E3S-LS20XE4-M3J 0.3M | AREA FOCUSABLE PHOTO NPN | E3S-LS20XE4-M3J 0.3M.pdf |
