Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D(T6RSS-Q)
- 제조업체 부품 번호
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK7P50D(T6RSS-Q) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 712.64800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK7P50D(T6RSS-Q), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK7P50D(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7P50D(T6RSS-Q), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK7P50D(T6RSS-Q) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK7P50D(T6RSS-Q) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK7P50D(T6RSS-Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK7P50D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.22옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK7P50DT6RSSQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK7P50D(T6RSS-Q) | |
| 관련 링크 | TK7P50D(, TK7P50D(T6RSS-Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK7P50D(T6RSS-Q) 의 관련 제품
 | C0402C471J5GACTU | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C471J5GACTU.pdf | |
 | VJ1825A122JBGAT4X | 1200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A122JBGAT4X.pdf | |
 | BFC237510913 | 0.091µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC237510913.pdf | |
| BFC238301105 | 1µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC238301105.pdf | |
| BFC238630564 | 0.56µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.732" L x 1.181" W (44.00mm x 30.00mm) | BFC238630564.pdf | |
| SIT8008AI-72-33E-26.000000D | OSC XO 3.3V 26MHZ OE | SIT8008AI-72-33E-26.000000D.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1001DC2-004.9152 | 4.9152MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DC2-004.9152.pdf | |
 | GBJ2504 | RECT BRIDGE GPP 400V 25A GBJ | GBJ2504.pdf | |
 | SB10-04A3-BT | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 | SB10-04A3-BT.pdf | |
 | BSS84V-7 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | BSS84V-7.pdf | |
 | PM2110-1R8M-RC | 1.8µH Unshielded Toroidal Inductor 18.5A 3 mOhm Max Nonstandard | PM2110-1R8M-RC.pdf | |
| FG1523 | 154MHz Whip, Straight RF Antenna 152MHz ~ 156MHz 3dBd Connector, N Female Bracket Mount | FG1523.pdf |
