Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TK7S10N1Z,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK7S10N1Z,LQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 578.22336
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK7S10N1Z,LQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK7S10N1Z,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7S10N1Z,LQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK7S10N1Z,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK7S10N1Z,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK7S10N1Z,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK7S10N1Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 48m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 470pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK7S10N1Z,LQ(O TK7S10N1ZLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK7S10N1Z,LQ | |
| 관련 링크 | TK7S10, TK7S10N1Z,LQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK7S10N1Z,LQ 의 관련 제품
 | B43508B2477M7 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 250 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508B2477M7.pdf | |
 | SR152A101GAATR1 | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A101GAATR1.pdf | |
 | BZM55C15-TR | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C15-TR.pdf | |
 | ASPI-0705-220K-T | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 110 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0705-220K-T.pdf | |
.jpg) | RT1206FRD0790K9L | RES SMD 90.9K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0790K9L.pdf | |
.jpg) | PHP00603E14R7BST1 | RES SMD 14.7 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E14R7BST1.pdf | |
 | RCP1206B15R0GED | RES SMD 15 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B15R0GED.pdf | |
 | CMF60215R00FKEB | RES 215 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60215R00FKEB.pdf | |
| CMF5522R000JKRE39 | RES 22 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5522R000JKRE39.pdf | |
 | MHP-50PTA52-39K | RES 39K OHM 1/2W .02% AXIAL | MHP-50PTA52-39K.pdf | |
 | CPR20180R0KE10 | RES 180 OHM 20W 10% RADIAL | CPR20180R0KE10.pdf | |
 | KXTF9-4100 | Accelerometer X, Y, Z Axis ±2g, 4g, 8g 12.5Hz ~ 400Hz 10-LGA (3x3) | KXTF9-4100.pdf |
