창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK8A10K3,S5Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TK8A10K3 Datasheet | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 18W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK8A10K3,S5Q(M TK8A10K3,S5Q,M TK8A10K3S5Q TK8A10K3S5QM TK8A10K3S5QM-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TK8A10K3,S5Q | |
관련 링크 | TK8A10, TK8A10K3,S5Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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E-TA2012 T 1DB N7 | RF Attenuator 1dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 1DB N7.pdf | ||
AMS22U5A1BHARL315 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22U5A1BHARL315.pdf |