Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q
- 제조업체 부품 번호
- TK8A10K3,S5Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK8A10K3,S5Q 가격 및 조달
가능 수량
1158 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 726.31280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK8A10K3,S5Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK8A10K3,S5Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8A10K3,S5Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK8A10K3,S5Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK8A10K3,S5Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK8A10K3,S5Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK8A10K3 Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 18W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK8A10K3,S5Q(M TK8A10K3,S5Q,M TK8A10K3S5Q TK8A10K3S5QM TK8A10K3S5QM-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK8A10K3,S5Q | |
| 관련 링크 | TK8A10, TK8A10K3,S5Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK8A10K3,S5Q 의 관련 제품
 | ELXV350EC3681MK25S | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | ELXV350EC3681MK25S.pdf | |
| ECW-H10823JV | 0.082µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.433" W (23.00mm x 11.00mm) | ECW-H10823JV.pdf | |
 | SMAJP4KE12CA-TP | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMA | SMAJP4KE12CA-TP.pdf | |
 | 9C04000140 | 4MHz ±30ppm 수정 16pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C04000140.pdf | |
| SIT8009AC-81-33E-125.003750Y | OSC XO 3.3V 125.00375MHZ OE | SIT8009AC-81-33E-125.003750Y.pdf | |
 | SIT1602ACR7-25E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.2mA Enable/Disable | SIT1602ACR7-25E.pdf | |
 | CZRQR52C33-HF | DIODE ZENER 33V 125MW 0402 | CZRQR52C33-HF.pdf | |
 | VO615A-8X018T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | VO615A-8X018T.pdf | |
.jpg) | AF1210JR-076K8L | RES SMD 6.8K OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-076K8L.pdf | |
 | RCP0603B470RGS3 | RES SMD 470 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B470RGS3.pdf | |
| 4608H-102-680LF | RES ARRAY 4 RES 68 OHM 8SIP | 4608H-102-680LF.pdf | |
| Y0771200R000A0L | RES 200 OHM 1W 0.05% RADIAL | Y0771200R000A0L.pdf |
