Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E

TK9J90E,S1E
제조업체 부품 번호
TK9J90E,S1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Datesheet 다운로드
다운로드
TK9J90E,S1E 가격 및 조달

가능 수량

1966 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,794.96340
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of TK9J90E,S1E, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK9J90E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK9J90E,S1E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
TK9J90E,S1E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK9J90E,S1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK9J90E,S1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서TK9J90E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)900V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.3옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 900µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs46nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
전력 - 최대250W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P(N)
표준 포장 150
다른 이름TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)TK9J90E,S1E
관련 링크TK9J9, TK9J90E,S1E Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
TK9J90E,S1E 의 관련 제품
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 69mA SIT3821AC-1B-33NZ.pdf
DIODE ZENER 51V 5W T18 1N5369AE3/TR8.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 ECH8659-TL-W.pdf
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
330µH Shielded Inductor 53mA 16 Ohm Max Nonstandard M1331-334K.pdf
Reed Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole DAR72410-HR.pdf
RSM 4 110VAC SPDT 10A SKT 910456.pdf
RES SMD 5.1 OHM 5% 1/10W 0603 MCR03EZPJ5R1.pdf
RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC Y1365V0491BA9W.pdf
RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% AXIAL H42K21BYA.pdf
RES 1M OHM 1.5W 1% AXIAL CMF651M0000FHBF.pdf
RES 42.2K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5542K200FKEK.pdf