Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPR,E)
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- TLP109(IGM-TPR,E)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력
- 간단한 설명
- Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 6-SO, 5 Lead
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TLP109(IGM-TPR,E) 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 800.61697
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TLP109(IGM-TPR,E), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TLP109(IGM-TPR,E) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TLP109(IGM-TPR,E), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TLP109(IGM-TPR,E) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TLP109(IGM-TPR,E) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TLP109(IGM-TPR,E) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TLP109(IGM) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 25% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | 75% @ 10mA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 450ns, 450ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 20V | |
| 전류 - 출력/채널 | 8mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.64V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SO, 5리드(Lead) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TLP109(IGM-TPR,E(O TLP109(IGM-TPRE)TR TLP109IGMTPRE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TLP109(IGM-TPR,E) | |
| 관련 링크 | TLP109(I, TLP109(IGM-TPR,E) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TLP109(IGM-TPR,E) 의 관련 제품
 | UMP1V3R3MDD1TP | 3.3µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UMP1V3R3MDD1TP.pdf | |
 | C0603CH1E1R5C030BA | 1.5pF 25V 세라믹 커패시터 CH 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603CH1E1R5C030BA.pdf | |
-15.jpg) | C4520JB3D471K130KA | 470pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 JB 1808(4520 미터법) 0.177" L x 0.079" W(4.50mm x 2.00mm) | C4520JB3D471K130KA.pdf | |
 | BFC237354124 | 0.12µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237354124.pdf | |
 | 445A35A12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35A12M00000.pdf | |
| SIT8008ACL72-33S-8.000000D | OSC XO 3.3V 8MHZ ST | SIT8008ACL72-33S-8.000000D.pdf | |
 | MMSZ5247B-G3-18 | DIODE ZENER 17V 500MW SOD123 | MMSZ5247B-G3-18.pdf | |
| T620161504DN | SCR FAST SW 1600V 150A TO200AB | T620161504DN.pdf | |
 | BLF8G09LS-270GWJ | TRANS RF 270W LDMOS CDFM6 | BLF8G09LS-270GWJ.pdf | |
| HM78-602R4LFTR | 2.4µH Shielded Inductor 8A 12 mOhm Max Nonstandard | HM78-602R4LFTR.pdf | |
 | CRCW25129K31FKEG | RES SMD 9.31K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25129K31FKEG.pdf | |
 | RSF2GT5K10 | RES MO 2W 5.1K OHM 2% AXIAL | RSF2GT5K10.pdf |
