창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TLP109(V4,E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TLP109(IGM) | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 3750Vrms | |
전류 전달비(최소) | 20% @ 16mA | |
전류 전달비(최대) | - | |
턴온/턴오프(통상) | 800ns, 800ns(최대) | |
상승/하강 시간(통상) | - | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 20V | |
전류 - 출력/채널 | 8mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.64V | |
전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
Vce 포화(최대) | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) | |
공급 장치 패키지 | 6-SO, 5리드(Lead) | |
표준 포장 | 125 | |
다른 이름 | TLP109(V4,E( TLP109(V4,E(T TLP109(V4E TLP109V4E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TLP109(V4,E | |
관련 링크 | TLP10, TLP109(V4,E Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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EWT50JB200R | RES CHAS MNT 200 OHM 5% 50W | EWT50JB200R.pdf | ||
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![]() | AF2010JK-0739KL | RES SMD 39K OHM 5% 3/4W 2010 | AF2010JK-0739KL.pdf | |
![]() | RT0603BRB0715K8L | RES SMD 15.8KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0715K8L.pdf | |
![]() | PT2512FK-7W0R3L | RES SMD 0.3 OHM 1% 2W 2512 | PT2512FK-7W0R3L.pdf | |
![]() | RNF18FTD2R61 | RES 2.61 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD2R61.pdf | |
![]() | P51-50-G-Z-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-G-Z-I12-5V-000-000.pdf |