Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LGBTR,E
- 제조업체 부품 번호
- TLP292-4(LGBTR,E
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력
- 간단한 설명
- Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SO
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TLP292-4(LGBTR,E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TLP292-4(LGBTR,E, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TLP292-4(LGBTR,E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TLP292-4(LGBTR,E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TLP292-4(LGBTR,E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TLP292-4(LGBTR,E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TLP292-4(LGBTR,E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TLP292-4 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 4 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 100% @ 500µA | |
| 전류 전달비(최대) | 600% @ 500µA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 3µs, 3µs | |
| 상승/하강 시간(통상) | 2µs, 3µs | |
| 입력 유형 | AC, DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 80V | |
| 전류 - 출력/채널 | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.25V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| Vce 포화(최대) | 300mV | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-SO | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TLP292-4(LGBTR,E(T TLP292-4(LGBTRETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TLP292-4(LGBTR,E | |
| 관련 링크 | TLP292-4, TLP292-4(LGBTR,E Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TLP292-4(LGBTR,E 의 관련 제품
 | HAZ471MBABRCKR | 470pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAZ471MBABRCKR.pdf | |
.jpg) | MC12EF200J-F | 20pF Mica Capacitor 1000V (1kV) 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | MC12EF200J-F.pdf | |
 | ECS-60-32-5P-TR | 6MHz ±30ppm 수정 32pF 70옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-60-32-5P-TR.pdf | |
 | 744235101 | 100µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 8 kOhm @ 10MHz 150mA DCR 2 Ohm | 744235101.pdf | |
 | ELJ-FBR22MF | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 300 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ELJ-FBR22MF.pdf | |
| 105R-102KS | 1µH Unshielded Inductor 360mA 730 mOhm Max 2-SMD | 105R-102KS.pdf | |
 | HS200 R47 F | RES CHAS MNT 0.47 OHM 1% 200W | HS200 R47 F.pdf | |
 | ESR18EZPF2741 | RES SMD 2.74K OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF2741.pdf | |
.jpg) | AT1206CRD0715R8L | RES SMD 15.8 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0715R8L.pdf | |
.jpg) | CRCW0603100RJNEC | RES SMD 100 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603100RJNEC.pdf | |
 | RNF14BTD2K00 | RES 2K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTD2K00.pdf | |
| 40J400 | RES 400 OHM 10W 5% AXIAL | 40J400.pdf |
