창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN0110N3-G-P002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TN0110 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TN0110N3-G-P002 | |
관련 링크 | TN0110N, TN0110N3-G-P002 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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NX1255GB-20.000000MHZ | 20MHz ±50ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX1255GB-20.000000MHZ.pdf | ||
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![]() | DSC1124AL2-100.0000T | 100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124AL2-100.0000T.pdf | |
![]() | CMHSH-3 TR | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123 | CMHSH-3 TR.pdf | |
![]() | 1N4742A,113 | DIODE ZENER 12V 1W DO41 | 1N4742A,113.pdf | |
![]() | VLS3010T-4R7MR80 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 204 mOhm Max Nonstandard | VLS3010T-4R7MR80.pdf | |
![]() | RC0805DR-0782R5L | RES SMD 82.5 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-0782R5L.pdf | |
![]() | ERJ-S12J752U | RES SMD 7.5K OHM 5% 3/4W 1812 | ERJ-S12J752U.pdf | |
![]() | RT0805BRE0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0761K9L.pdf | |
![]() | Y1365V0177BA9U | RES ARRAY 4 RES 4K OHM 8SOIC | Y1365V0177BA9U.pdf |