창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN2106K1-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TN2106 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 22/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Qualification Report Revision 29/Jan/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 280mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TN2106K1-G-ND TN2106K1-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TN2106K1-G | |
관련 링크 | TN210, TN2106K1-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
EEU-EB1H2R2SB | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-EB1H2R2SB.pdf | ||
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CRCW08052M40FKTA | RES SMD 2.4M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052M40FKTA.pdf | ||
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