창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TNPW2512221KBEEG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TNPW e3 Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | TNPW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 221k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 내습성 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 2512(6432 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2512 | |
크기/치수 | 0.248" L x 0.122" W(6.30mm x 3.10mm) | |
높이 | 0.030"(0.75mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TNPW2512 221K 0.1% T9 E67 E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TNPW2512221KBEEG | |
관련 링크 | TNPW2512, TNPW2512221KBEEG Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
C1206C220JGGACTU | 22pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C220JGGACTU.pdf | ||
KRM55LR72E684KH01K | 0.68µF 250V 세라믹 커패시터 X7R SMD, J-리드(Lead) 0.240" L x 0.209" W(6.10mm x 5.30mm) | KRM55LR72E684KH01K.pdf | ||
1812GC332MAT3A | 3300pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC332MAT3A.pdf | ||
5AK330KABAH | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | 5AK330KABAH.pdf | ||
173D473X9035UWE3 | 0.047µF Molded Tantalum Capacitors 35V Axial 0.095" Dia x 0.260" L (2.41mm x 6.60mm) | 173D473X9035UWE3.pdf | ||
13008-053MESB | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 3226 (8066 Metric) 100 mOhm 0.315" L x 0.260" W (8.00mm x 6.60mm) | 13008-053MESB.pdf | ||
FXO-HC730R-19.6608 | 19.6608MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC730R-19.6608.pdf | ||
0805R-152J | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 0805R-152J.pdf | ||
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AF122-FR-0722R1L | RES ARRAY 2 RES 22.1 OHM 0404 | AF122-FR-0722R1L.pdf | ||
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T101-5C3-110-L1 | MULTI TOUCH RING ENCODER RD LT | T101-5C3-110-L1.pdf |