창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP0620N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TP0620 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 200mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TP0620N3-G | |
관련 링크 | TP062, TP0620N3-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | MKP383224250JIM2T0 | 2400pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP383224250JIM2T0.pdf | |
![]() | 38FB4420A-F | AC MEXICO | 38FB4420A-F.pdf | |
![]() | SIT9001AI-23-18E6-25.0000T | OSC XO 1.8V 25MHZ OE 0.50% | SIT9001AI-23-18E6-25.0000T.pdf | |
![]() | MMSZ5263B-E3-08 | DIODE ZENER 56V 500MW SOD123 | MMSZ5263B-E3-08.pdf | |
![]() | CRCW1206182RFKEC | RES SMD 182 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206182RFKEC.pdf | |
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![]() | LR2F100K | RES 100K OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F100K.pdf | |
![]() | CP0007120R0JE663 | RES 120 OHM 7W 5% AXIAL | CP0007120R0JE663.pdf | |
![]() | SSCDRRN002ND2A5 | Pressure Sensor ±0.07 PSI (±0.5 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | SSCDRRN002ND2A5.pdf |