Microchip Technology TP0620N3-G
,TO-226_straightlead.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- TP0620N3-G
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TP0620N3-G 가격 및 조달
가능 수량
2282 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,235.52000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TP0620N3-G, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. TP0620N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP0620N3-G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TP0620N3-G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TP0620N3-G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TP0620N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TP0620 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 200mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TP0620N3-G | |
| 관련 링크 | TP062, TP0620N3-G Datasheet, Microchip Technology Distributor | |
TP0620N3-G 의 관련 제품
 | VJ0603D110GLBAJ | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D110GLBAJ.pdf | |
 | P6KE100AE3/TR13 | TVS DIODE 85.5VWM 137VC AXIAL | P6KE100AE3/TR13.pdf | |
| LP130F23CDT | 13MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP130F23CDT.pdf | |
 | ASTMHTFL-120.000MHZ-ZR-E | 120MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-120.000MHZ-ZR-E.pdf | |
 | HI0603P600R-00 | 60 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Power, Signal Line 4A 1 Lines 30 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | HI0603P600R-00.pdf | |
| 2952855 | RELAY GEN PURPOSE | 2952855.pdf | |
 | CRCW04023R60JNED | RES SMD 3.6 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW04023R60JNED.pdf | |
.jpg) | RT1206BRD0711K8L | RES SMD 11.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD0711K8L.pdf | |
 | CMF5529K400CEEB | RES 29.4K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF5529K400CEEB.pdf | |
| CMF5540K200BEEB | RES 40.2K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5540K200BEEB.pdf | |
 | PSM500JB-75R | RES 75 OHM 5W 5% RADIAL | PSM500JB-75R.pdf | |
| P51-50-A-I-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-A-I-D-5V-000-000.pdf |
