창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP2104K1-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TP2104 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 22/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Qualification Report Revision 29/Jan/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TP2104K1-G | |
관련 링크 | TP210, TP2104K1-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
![]() | 0697H0400-02 | FUSE BRD MNT 400MA 350VAC 100VDC | 0697H0400-02.pdf | |
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![]() | 3362M-1-501LF | 500 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3362M-1-501LF.pdf | |
![]() | ESR18EZPF4993 | RES SMD 499K OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF4993.pdf | |
![]() | AC2010FK-071K87L | RES SMD 1.87K OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-071K87L.pdf | |
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![]() | RG1608N-1471-W-T5 | RES SMD 1.47K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1471-W-T5.pdf | |
![]() | RG1005N-6040-B-T5 | RES SMD 604 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-6040-B-T5.pdf | |
![]() | ERG-1SJ510A | RES 51 OHM 1W 5% AXIAL | ERG-1SJ510A.pdf | |
![]() | H8402RFAA | RES 402 OHM 1/4W 1% AXIAL | H8402RFAA.pdf | |
![]() | Y0793663R000F9L | RES 663 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y0793663R000F9L.pdf |