창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP2104N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TP2104 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TP2104N3-G | |
관련 링크 | TP210, TP2104N3-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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C907U150JZNDBAWL35 | 15pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U150JZNDBAWL35.pdf | ||
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DPM6S15K-F | 0.015µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.276" W (13.00mm x 7.00mm) | DPM6S15K-F.pdf | ||
IXTY5N50P | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA | IXTY5N50P.pdf | ||
383-2USOC/S530-A5 | Orange 615nm LED Indication - Discrete 2V Radial | 383-2USOC/S530-A5.pdf | ||
MP4-4LL-4LL-4LL-4LL-4LL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-4LL-4LL-4LL-4LL-4LL-00.pdf | ||
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RT0805CRD0741R2L | RES SMD 41.2 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0741R2L.pdf | ||
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HSCDLNN100MDSA5 | Pressure Sensor ±1.45 PSI (±10 kPa) Differential Male - 0.1" (2.47mm) Tube 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | HSCDLNN100MDSA5.pdf |