Microchip Technology TP2510N8-G

TP2510N8-G
제조업체 부품 번호
TP2510N8-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
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내부 부품 번호EIS-TP2510N8-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서TP2510
PCN 설계/사양Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 조립/원산지Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C480mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.5옴 @ 750mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds125pF @ 25V
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지TO-243AA(SOT-89)
표준 포장 2,000
다른 이름TP2510N8-G-ND
TP2510N8-GTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TP2510N8-G
관련 링크TP251, TP2510N8-G Datasheet, Microchip Technology Distributor
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