창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP2640LG-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TP2640 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15옴 @ 300mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 3,300 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TP2640LG-G | |
관련 링크 | TP264, TP2640LG-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | C0402C183K8PACTU | 0.018µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C183K8PACTU.pdf | |
![]() | S102K39X7RP6TK5R | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | S102K39X7RP6TK5R.pdf | |
![]() | 199D335X9010A2B1E3 | 3.3µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D335X9010A2B1E3.pdf | |
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![]() | SIT3807AI-C-18EE | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT3807AI-C-18EE.pdf | |
![]() | DSEI2X61-02P | DIODE MODULE 200V 71A ECO-PAC1 | DSEI2X61-02P.pdf | |
![]() | CMDZ3L9 TR | DIODE ZENER 3.9V 250MW SOD323 | CMDZ3L9 TR.pdf | |
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