창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP5322N8-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TP5322 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 220V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 200mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TP5322N8-G | |
관련 링크 | TP532, TP5322N8-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | DKIP-0333-5001 | 3 Line Common Mode Choke Through Hole 50A DCR 4 mOhm | DKIP-0333-5001.pdf | |
![]() | NLC453232T-470K-PF | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.9 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | NLC453232T-470K-PF.pdf | |
![]() | P1166.184NLT | 180µH Shielded Wirewound Inductor 390mA 1.19 Ohm Max Nonstandard | P1166.184NLT.pdf | |
![]() | ERJ-8ENF5603V | RES SMD 560K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF5603V.pdf | |
![]() | AC0201JR-0724KL | RES SMD 24K OHM 5% 1/20W 0201 | AC0201JR-0724KL.pdf | |
![]() | PE0603FRF570R005L | RES SMD 0.005 OHM 1% 1/2W 0603 | PE0603FRF570R005L.pdf | |
![]() | CP0010100R0KB143 | RES 100 OHM 10W 10% AXIAL | CP0010100R0KB143.pdf |