창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8012-H(TE12L,Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPC8012-H Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | Digi-Reel® | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 900mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPC8012-H(TE12L,Q) | |
관련 링크 | TPC8012-H, TPC8012-H(TE12L,Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | KAI-08670-FXA-JD-B2 | CCD Image Sensor 3600H x 2400V 7.4µm x 7.4µm 72-CPGA (47.24x45.34) | KAI-08670-FXA-JD-B2.pdf |