Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109(TE12L)
- 제조업체 부품 번호
- TPC8109(TE12L)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPC8109(TE12L) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPC8109(TE12L), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPC8109(TE12L) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8109(TE12L), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPC8109(TE12L) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPC8109(TE12L) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPC8109(TE12L) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPC8109 Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2260pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | TPC8109CT TPC8109TE12L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPC8109(TE12L) | |
| 관련 링크 | TPC8109, TPC8109(TE12L) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPC8109(TE12L) 의 관련 제품
 | S150K25SL0N6UJ5R | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | S150K25SL0N6UJ5R.pdf | |
| C917U520JZSDBAWL20 | 52pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U520JZSDBAWL20.pdf | |
 | 416F260X3IDT | 26MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X3IDT.pdf | |
| 416F40013ILT | 40MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40013ILT.pdf | |
| SIT8208AI-82-33E-16.384000Y | OSC XO 3.3V 16.384MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-16.384000Y.pdf | |
 | EL3H7(K)-G | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(K)-G.pdf | |
 | RCH50S100R0JS06 | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 50W | RCH50S100R0JS06.pdf | |
.jpg) | AR0603FR-07274RL | RES SMD 274 OHM 1% 1/10W 0603 | AR0603FR-07274RL.pdf | |
 | MCA12060D1271BP500 | RES SMD 1.27K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1271BP500.pdf | |
 | RG2012V-5760-B-T5 | RES SMD 576 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-5760-B-T5.pdf | |
 | CW01033K00JS73 | RES 33K OHM 13W 5% AXIAL | CW01033K00JS73.pdf | |
| CD18400NSC | PES M18 400MM NPN 2.0M | CD18400NSC.pdf |
