창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8208(TE12L,Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPC8208 Mosfets Prod Guide | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | Digi-Reel® | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 2.5A, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 450mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPC8208(TE12L,Q) | |
관련 링크 | TPC8208(, TPC8208(TE12L,Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | GJM0335C1E7R4CB01D | 7.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E7R4CB01D.pdf | |
![]() | HSMP-3860-TR2G | DIODE PIN GP 50V 1A SOT-23 | HSMP-3860-TR2G.pdf | |
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![]() | NKN200JR-73-0R18 | RES 0.18 OHM 2W 5% AXIAL | NKN200JR-73-0R18.pdf | |
![]() | 40F820 | RES 820 OHM 10W 1% AXIAL | 40F820.pdf | |
![]() | PX2AN1XX500PSAAX | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | PX2AN1XX500PSAAX.pdf | |
![]() | P51-100-G-R-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-R-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | E2A3-M12KS06-M1-B2 | Inductive Proximity Sensor 0.236" (6mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M12 | E2A3-M12KS06-M1-B2.pdf |